Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 65 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW40R025M2HXKSA1

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N° de stock RS:
762-903
Référence fabricant:
IMW40R025M2HXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Package Type

TO-247

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

25.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

4.3V

Maximum Power Dissipation Pd

195W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.83mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

20.8mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET is Ideal for high frequency switching and synchronous rectific and features Benchmark gate threshold voltage. Additionally it features XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance.

100% avalanche tested

Recommended gate driving voltage

Qualified for industrial applications

Used for energy storage, UPS and battery formation

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