Vishay TrenchFET Type N, Type P-Channel MOSFET, 7.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4532CEY-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 736-653
- Référence fabricant:
- SQ4532CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.19Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.3W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.19Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.3W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
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