Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 33.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ211ELP-T1_GE3

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228-2959
Référence fabricant:
SQJ211ELP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

33.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

30mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-0.82V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET automotive P-channel is 100 V power MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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