Vishay SiR870BDP Type N-Channel Single MOSFETs, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR870BDP-T1-UE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

3 612,00 €

(TVA exclue)

4 371,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +1,204 €3 612,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
653-199
Référence fabricant:
SIR870BDP-T1-UE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

81A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK

Series

SiR870BDP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0061Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.15mm

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Height

0.61mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver low RDS(on), fast switching, and optimized thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Liens connexes