Vishay SiR870BDP Type N-Channel MOSFET, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR870BDP-T1-RE3

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204-7224
Référence fabricant:
SiR870BDP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

81A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiR870BDP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.26mm

Height

6.25mm

Width

1.12 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) and is tuned for the lowest RDS x Qoss FOM.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

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