Références fabricant

Vishay SiR870BDP Type N-Channel MOSFET, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 204-7223
Référence fabricant:: SiR870BDP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiR870BDP Type N-Channel MOSFET, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

3 081,00 €

(TVA exclue)

3 729,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 01 juillet 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	1,027 €	3 081,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 204-7223
Référence fabricant:: SiR870BDP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	81A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	SiR870BDP
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	110nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	6.25mm
	Length	5.26mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 81A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series SiR870BDP
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 6.25mm
	Length 5.26mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SiR870BDP-T1-RE3

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) and is tuned for the lowest RDS x Qoss FOM.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.