Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs, 18 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- N° de stock RS:
- 653-113
- Référence fabricant:
- SIS5712DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
1,19 €
(TVA exclue)
1,44 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 24 | 1,19 € |
| 25 - 99 | 1,15 € |
| 100 - 499 | 1,14 € |
| 500 - 999 | 0,97 € |
| 1000 + | 0,91 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 653-113
- Référence fabricant:
- SIS5712DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SIS5712DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0555Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 39.1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Lead (Pb)-Free | |
| Length | 3.30mm | |
| Height | 1.04mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SIS5712DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0555Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 39.1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Lead (Pb)-Free | ||
Length 3.30mm | ||
Height 1.04mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in power-dense systems. It supports up to 150 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8, it utilizes TrenchFET Gen V technology to deliver low RDS(on), reduced gate charge, and excellent thermal performance.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
Liens connexes
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS5712DN-T1-GE3
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5712DP-T1-GE3
- Vishay SUM50010EL Type N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK
- Vishay SI2122DS Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIB4122DK Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK
- Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK