Vishay SI3122DV N-Channel Single MOSFETs, 1.95 A, 100 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK
- N° de stock RS:
- 653-089
- Référence fabricant:
- SI3122DV-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
0,28 €
(TVA exclue)
0,34 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,28 € |
| 25 - 99 | 0,25 € |
| 100 - 499 | 0,22 € |
| 500 - 999 | 0,19 € |
| 1000 + | 0,17 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 653-089
- Référence fabricant:
- SI3122DV-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.95A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SI3122DV | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.160Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.34W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2.98mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.95A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SI3122DV | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.160Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.34W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2.98mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in a TSOP-6 format, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver low RDS(on), fast switching, and efficient thermal performance in space-constrained designs.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
Used in LED backlighting
Liens connexes
- Vishay SI3122DV Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SI3122DV-T1-GE3
- Vishay SIRA10DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA12DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SI2122DS Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK
- Vishay SIR4156LDP Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK