ROHM RD3N Type N-Channel Single MOSFETs, 105 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3N07BBHTL1
- N° de stock RS:
- 646-631
- Référence fabricant:
- RD3N07BBHTL1
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 5 unités)*
7,32 €
(TVA exclue)
8,855 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 09 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,464 € | 7,32 € |
| 50 - 245 | 1,288 € | 6,44 € |
| 250 - 495 | 1,156 € | 5,78 € |
| 500 + | 0,914 € | 4,57 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 646-631
- Référence fabricant:
- RD3N07BBHTL1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 105A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | RD3N | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46.0nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Halogen Free, Pb Free, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 105A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series RD3N | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46.0nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Halogen Free, Pb Free, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET with low on resistance and high power package suitable for switching, motor drives and DC/DC converter.
Pb free plating
RoHS compliant
Halogen free
100% Rg and UIS tested
Liens connexes
- ROHM AG085FG N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO 252 AG085FGD3HRBTL
- ROHM AG084F N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO 252 AG084FGD3HRBTL
- ROHM N-Channel MOSFET 750 V Tube SCT4013DRC15
- ROHM AG096F N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO 252 AG096FPD3HRBTL
- ROHM AG502EL P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin TO 252 AG502ELD3HRBTL
- ROHM AG502EG P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO 252 AG502EGD3HRBTL
- ROHM N-Channel MOSFET 1200 V Tray BSM080D12P2C008
- ROHM N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-220AB RX3R10BBHC16
