ROHM R4P N-Channel Single MOSFETs, 3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin MPT3 R4P030N03HZGT100
- N° de stock RS:
- 646-552
- Référence fabricant:
- R4P030N03HZGT100
- Fabricant:
- ROHM
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- N° de stock RS:
- 646-552
- Référence fabricant:
- R4P030N03HZGT100
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | MPT3 | |
| Series | R4P | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 120mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 4.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 4.7mm | |
| Height | 1.6mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type MPT3 | ||
Series R4P | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 4.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 4.7mm | ||
Height 1.6mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM 4 volt drive N channel metal oxide semiconductor field effect transistor features low on resistance and supports 4 volt drive operation.
AEC-Q101 Qualified
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