Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET, 375 A, 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

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351-915
Référence fabricant:
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

375A

Maximum Drain Source Voltage Vds

2000V

Series

F3L6MR

Package Type

AG-EASY2B

Mount Type

Through Hole

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

6.15V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

48 mm

Standards/Approvals

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Length

62.8mm

Height

12.255mm

Automotive Standard

No

The Infineon Easy pack 2B CoolSiC MOSFET 3-level module 2000 V, 6 mΩ with NTC temperature sensor, Press FIT Contact Technology and aluminum nitride ceramic.

Very low module stray inductance

Press FIT pins

Integrated NTC temperature sensor

Wide gate source voltage range

Low switching & conduction losses

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