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Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET, 375 A, 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

N° de stock RS:: 351-915
Référence fabricant:: F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET, 375 A, 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

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N° de stock RS:: 351-915
Référence fabricant:: F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	375A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	2000V
	Package Type	AG-EASY2B
	Series	F3L6MR
	Mount Type	Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	6.15V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	12.255mm
	Standards/Approvals	IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749
	Length	62.8mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 375A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 2000V
	Package Type AG-EASY2B
	Series F3L6MR
	Mount Type Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 6.15V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 12.255mm
	Standards/Approvals IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749
	Length 62.8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

The Infineon Easy pack 2B CoolSiC MOSFET 3-level module 2000 V, 6 mΩ with NTC temperature sensor, Press FIT Contact Technology and aluminum nitride ceramic.

Very low module stray inductance

Press FIT pins

Integrated NTC temperature sensor

Wide gate source voltage range

Low switching & conduction losses

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