Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 113 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T017S7AXTMA1

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349-196
Référence fabricant:
IPDQ60T017S7AXTMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

113A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PG-HDSOP-22

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

22

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.017Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

196nC

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

AEC Q101, RoHS, JEDEC

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
MY
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