Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 447 A, 60 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQDH88N06LM5CGSCATMA1

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N° de stock RS:
348-881
Référence fabricant:
IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Series

OptiMOS 5

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

447 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

60 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

9

Package Type

PG-WHTFN-9

Automotive Standard

No

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

0.86 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V

Maximum Operating Temperature

175 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

333 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Pays d'origine :
MY
The Infineon MOSFET comes with a low RDS(on) of 0.86 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. The Centre-Gate footprint is optimized for parallelization.

Reduced voltage overshoot

Increased maximum current capability

Fast switching

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