Références fabricant

Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 700 A, 30 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQDH35N03LM5CGSCATMA1

N° de stock RS:: 348-875
Référence fabricant:: IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 700 A, 30 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 348-875
Référence fabricant:: IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Series	OptiMOS 5
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	700 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	30 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	9
	Package Type	PG-WHTFN-9
	Automotive Standard	No
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	0.35 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	278 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	No

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	Marque Infineon
	Series OptiMOS 5
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 700 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 30 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 9
	Package Type PG-WHTFN-9
	Automotive Standard No
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 0.35 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 278 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals No

Datasheet - IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Pays d'origine :: MY

The Infineon MOSFET comes with a low RDS(on) of 0.35 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. The Centre-Gate footprint is optimized for parallelization.

Minimized conduction losses

Fast switching

Reduced voltage overshoot

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