Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 127 A, 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE031N08LM6CGSCATMA1
- N° de stock RS:
- 762-895
- Référence fabricant:
- IQE031N08LM6CGSCATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
2,33 €
(TVA exclue)
2,82 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 5 950 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,33 € |
| 10 - 24 | 1,96 € |
| 25 - 99 | 1,21 € |
| 100 - 499 | 1,19 € |
| 500 + | 1,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 762-895
- Référence fabricant:
- IQE031N08LM6CGSCATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 127A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | PG-WHTFN-9 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 9 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 0.75mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 127A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type PG-WHTFN-9 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 9 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.4mm | ||
Height 0.75mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor is optimized for high performance SMPS featuring rated voltage of 80 V. It is halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and is RoHS compliant.
N‑channel
100% avalanche tested
75°C operating temperature
Pb‑free lead plating
Liens connexes
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE050N08NM5CGSCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE046N08LM5CGSCATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N 447 A 9-Pin PG-WHTFN-9 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N 700 A 9-Pin PG-WHTFN-9 IQDH35N03LM5CGSCATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQE031N08LM6CGATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET 80 V, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQD016N08NM5CGSCATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET 60 V, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQD009N06NM5CGSCATMA1