onsemi NCV Type N, Type P-Channel MOSFET, 65 V Dual, 8-Pin SOIC-8 NCV8406DD1CR2G
- N° de stock RS:
- 327-795
- Référence fabricant:
- NCV8406DD1CR2G
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 327-795
- Référence fabricant:
- NCV8406DD1CR2G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 65V | |
| Series | NCV | |
| Package Type | SOIC-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 210mΩ | |
| Channel Mode | Dual | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.2W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Height | 1.75mm | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 65V | ||
Series NCV | ||
Package Type SOIC-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 210mΩ | ||
Channel Mode Dual | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.2W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Height 1.75mm | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- PH
The ON Semiconductor Dual protected Low-Side Smart Discrete device offers comprehensive protection features, including overcurrent, over temperature, ESD, and integrated Drain-to-Gate clamping for overvoltage protection. It is designed for reliable performance in harsh automotive environments.
Short Circuit Protection
Thermal Shutdown with Automatic Restart
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