onsemi NTM Type N-Channel MOSFET, 131.5 A, 80 V Enhancement, 10-Pin TCPAK10 NTMJST2D6N08HTXG
- N° de stock RS:
- 277-048
- Référence fabricant:
- NTMJST2D6N08HTXG
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 5 unités)*
9,15 €
(TVA exclue)
11,05 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,83 € | 9,15 € |
| 50 - 95 | 1,738 € | 8,69 € |
| 100 - 495 | 1,61 € | 8,05 € |
| 500 - 995 | 1,48 € | 7,40 € |
| 1000 + | 1,426 € | 7,13 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 277-048
- Référence fabricant:
- NTMJST2D6N08HTXG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 131.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | NTM | |
| Package Type | TCPAK10 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 10 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 116W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 68nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 7.5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 131.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series NTM | ||
Package Type TCPAK10 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 10 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 116W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 68nC | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 7.5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- PH
The ON Semiconductor MOSFET is a power, single N-channel transistor with an 80V rating, 2.8mΩ on-resistance, and 131.5A current capacity. Its compact TCPAK57 5x7mm package offers excellent thermal performance, making it suitable for high-efficiency power management, motor control, and DC-DC conversion applications.
Optimized top cool package to dissipate heat from top
Small footprint for compact designs
Ultra Low RDS(on) to improve system efficiency
Device is Pb Free and RoHS compliant
Liens connexes
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 10-Pin TCPAK57 NTMJST1D4N06CLTXG
- onsemi NTMS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 5-Pin DFN-5
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN-8 NTMFSC0D8N04XMTWG
- onsemi NTMS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC NTMS4177PR2G
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NTMFS002N10MCLT1G
- onsemi NTM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NTMFS4D7N04XMT1G
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 5-Pin DFN