onsemi NTM Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NTMFS002N10MCLT1G
- N° de stock RS:
- 248-5822
- Référence fabricant:
- NTMFS002N10MCLT1G
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
7,42 €
(TVA exclue)
8,98 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 1 860 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,71 € | 7,42 € |
| 20 - 198 | 3,20 € | 6,40 € |
| 200 - 998 | 2,77 € | 5,54 € |
| 1000 + | 2,435 € | 4,87 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 248-5822
- Référence fabricant:
- NTMFS002N10MCLT1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NTM | |
| Package Type | DFN-5 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 117W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NTM | ||
Package Type DFN-5 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 117W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ON Semiconductor MOSFET is a N channel MOSFET with 100 V drain to source voltage, RDS(ON) 2.8 mohm and continuous drain current 175 A also these devices are Pb−free, Halogen free/BFR free, Beryllium free and are RoHS compliant.
Small footprint (5x6 mm) for compact design
Low RDS(on) to minimize conduction losses
Low QG and capacitance to minimize driver losses
Liens connexes
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 5-Pin DFN-5
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 5-Pin DFN
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 5-Pin DFN-5
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 5-Pin DFN-5 NTMFS3D2N10MDT1G
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 5-Pin DFN NTMFS6H824NT1G
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 5-Pin DFN NTMFS5C645NT1G
- onsemi NTM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NTMFS4D7N04XMT1G
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN-8 NTMFSC0D8N04XMTWG