DiodesZetex Dual ZXMS6008DN8 2 Type N-Channel MOSFET, 0.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 ZXMS6008DN8-13

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216-349
Référence fabricant:
ZXMS6008DN8-13
Fabricant:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

ZXMS6008DN8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

800mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.13W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Length

4.9mm

Width

6 mm

Height

1.45mm

Standards/Approvals

JEDEC, UL 94V-0, RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q100

Pays d'origine :
CN
The DiodesZetex MOSFET is a dual self protected low-side IntelliFET MOSFET with logic level input. It integrates over temperature, overcurrent, overvoltage and ESD protected logic-level functionality. It is Ideal as a general purpose switch driven from 3.3V or 5V microcontrollers in harsh environments where standard MOSFETs are not rugged enough.

Compact high power dissipation package

Low input current

Short circuit protection with auto restart

Overvoltage protection

Thermal shutdown with auto restart

Overcurrent protection

Input ESD protection

High continuous current rating

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