DiodesZetex ZXMS6008DN8 Type N-Channel MOSFET, 0.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 ZXMS6008N8-13

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

547,50 €

(TVA exclue)

662,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,219 €547,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
216-351
Référence fabricant:
ZXMS6008N8-13
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

ZXMS6008DN8

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

700mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.98W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The DiodesZetex MOSFET is a self protected low side IntelliFET® MOSFET with logic level input. It integrates over temperature, overcurrent, overvoltage and ESD protected logic level functionality. It is Ideal as a general-purpose switch driven from 3.3V or 5V microcontrollers in harsh environments where standard MOSFETs are not rugged enough.

Compact high power dissipation package

Low input current

Short circuit protection with auto restart

Overvoltage protection

Thermal shutdown with auto restart

Overcurrent protection

Input ESD protection

High continuous current rating

Liens connexes