STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT070HU120G3AG

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 600 unités)*

9 485,40 €

(TVA exclue)

11 477,40 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 600 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
600 +15,809 €9 485,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
215-241
Référence fabricant:
SCT070HU120G3AG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

HU3PAK

Series

SCT

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

63mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Power Dissipation Pd

23W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

3.5mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

14 mm

Length

18.58mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Liens connexes