Fairchild Semiconductor ISL9V3040P3, Type N-Channel IGBT, 21 A 430 V, 3-Pin TO-220AB, Through Hole

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onsemi NGTG15N60S1EG IGBT, 30 A 600 V, 4-Pin TO-220, Through Hole
N° de stock RS
769-5810

L'unité (en paquet de 2)

1,365 €

(TVA exclue)

1,652 €

(TVA incluse)

N° de stock RS:
862-9359
Référence fabricant:
ISL9V3040P3
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
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Marque

Fairchild Semiconductor

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

21A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

430V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

15μs

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±10 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

EcoSPARK

Automotive Standard

AEC-Q101

Energy Rating

300mJ

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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