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onsemi NGTG15N60S1EG IGBT, 30 A 600 V, 4-Pin TO-220, Through Hole

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Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ON Semiconductor
	Maximum Continuous Collector Current	30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	117 W
	Package Type	TO-220
	Mounting Type	Through Hole
	Channel Type	N
	Pin Count	4
	Dimensions	10.28 x 4.82 x 15.75mm
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Maximum Operating Temperature	+150 °C

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	Marque ON Semiconductor
	Maximum Continuous Collector Current 30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 117 W
	Package Type TO-220
	Mounting Type Through Hole
	Channel Type N
	Pin Count 4
	Dimensions 10.28 x 4.82 x 15.75mm
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Maximum Operating Temperature +150 °C

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