Fairchild ISL9V3040S3ST IGBT, 21 A 450 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

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N° de stock RS:
862-9353
Référence fabricant:
ISL9V3040S3ST
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
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Marque

Fairchild Semiconductor

Maximum Continuous Collector Current

21 A

Maximum Collector Emitter Voltage

450 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±14V

Maximum Power Dissipation

150 W

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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