Fairchild Semiconductor ISL9V5036S3ST, Type N-Channel IGBT, 46 A 390 V, 3-Pin TO-263, Surface

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862-9362
Référence fabricant:
ISL9V5036S3ST
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
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Marque

Fairchild Semiconductor

Maximum Continuous Collector Current Ic

46A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

390V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±10 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Series

EcoSPARK

Automotive Standard

AEC-Q101

Energy Rating

500mJ

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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