Fairchild ISL9V3040P3 IGBT, 21 A 450 V, 3-Pin TO-220AB, Through Hole

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N° de stock RS:
166-2175
Référence fabricant:
ISL9V3040P3
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
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Marque

Fairchild Semiconductor

Maximum Continuous Collector Current

21 A

Maximum Collector Emitter Voltage

450 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±14V

Maximum Power Dissipation

150 W

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.67 x 4.7 x 16.3mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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