Infineon FD200R12KE3HOSA1 IGBT Module, 295 A 1200 V Module, Panel
- N° de stock RS:
- 273-7368
- Référence fabricant:
- FD200R12KE3HOSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 100,487 € | 1 004,87 € |
| 100 + | 92,147 € | 921,47 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-7368
- Référence fabricant:
- FD200R12KE3HOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 295A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.05kW | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Height | 29.3mm | |
| Length | 106.4mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61140 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 295A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.05kW | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Height 29.3mm | ||
Length 106.4mm | ||
Standards/Approvals IEC 61140 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module is a 62 mm chopper IGBT modules. This IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 200A continuous DC collector current. It is a superior solution for frequency controlled inverter drives.
Highest reliability
Thermal resistance
Optimal electrical performance