Références fabricant

STMicroelectronics STGSB200M65DF2AG, NPN-Channel Single IGBT, 216 A 650 V, 9-Pin ECOPACK, Surface

N° de stock RS:: 273-5093
Référence fabricant:: STGSB200M65DF2AG
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGSB200M65DF2AG, NPN-Channel Single IGBT, 216 A 650 V, 9-Pin ECOPACK, Surface

Sous-total (1 bobine de 200 unités)*

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N° de stock RS:: 273-5093
Référence fabricant:: STGSB200M65DF2AG
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	216A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	714W
	Number of Transistors	2
	Configuration	Single
	Package Type	ECOPACK
	Mount Type	Surface
	Channel Type	NPN
	Pin Count	9
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.05V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	5.5mm
	Length	4mm
	Standards/Approvals	UL1557
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 216A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 714W
	Number of Transistors 2
	Configuration Single
	Package Type ECOPACK
	Mount Type Surface
	Channel Type NPN
	Pin Count 9
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.05V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 5.5mm
	Length 4mm
	Standards/Approvals UL1557
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - STGSB200M65DF2AG

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics automotive-grade trench gate field-stop low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package. This device is an IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential.

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Dice on direct bond copper (DBC) substrate

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