STMicroelectronics IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

140,73 €

(TVA exclue)

170,28 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 01 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 - 304,691 €140,73 €
60 - 604,569 €137,07 €
90 +4,456 €133,68 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
261-5071
Référence fabricant:
STGWA80H65DFBAG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

535W

Package Type

TO-247

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

15V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.8mm

Height

5mm

Width

21 mm

Series

STGWA

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics IGBT is developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

AEC-Q101 qualified

High-speed switching series

Maximum junction temperature TJ is 175 degree C

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Positive temperature VCE(sat) coefficient

Soft and very fast recovery antiparallel diode

Liens connexes