STMicroelectronics IGBT, 30 A 650 V H2PAK-2, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

2 019,00 €

(TVA exclue)

2 443,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 15 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +2,019 €2 019,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
248-4893
Référence fabricant:
STGH30H65DFB-2AG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

260W

Package Type

H2PAK-2

Mount Type

Through Hole

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.55V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.7mm

Length

10.4mm

Width

15.8 mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

STGH30H65DFB

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCEsat temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

AEC-Q101 qualified

High speed switching series

Safer paralleling

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Soft and very fast recovery antiparallel diode

Liens connexes