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STMicroelectronics STGP20H65DFB2 IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-220

N° de stock RS:: 204-9876
Référence fabricant:: STGP20H65DFB2
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGP20H65DFB2 IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-220

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N° de stock RS:: 204-9876
Référence fabricant:: STGP20H65DFB2
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current	40 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Number of Transistors	1
	Maximum Power Dissipation	147 W
	Package Type	TO-220
	Pin Count	3

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	Marque STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current 40 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Number of Transistors 1
	Maximum Power Dissipation 147 W
	Package Type TO-220
	Pin Count 3

Datasheet - STGP20H65DFB2

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance

STMicroelectronics STGP20H65DFB2 IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-220

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