Infineon Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis
- N° de stock RS:
- 260-8891
- Référence fabricant:
- FF600R12IP4BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 3 + | 358,693 € | 1 076,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 260-8891
- Référence fabricant:
- FF600R12IP4BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 600A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Package Type | AG-PRIME2 | |
| Configuration | Dual | |
| Mount Type | Chassis | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.55V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 600A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 2 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Package Type AG-PRIME2 | ||
Configuration Dual | ||
Mount Type Chassis | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.55V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A half-bridge dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode, NTC and soft switching chip, also available with thermal interface material. High short circuit capability, self limiting short circuit current, VCEsat with positive temperature coefficient.
Extended operation temperature
High DC stability
High power density
Standardized housing