Infineon Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis

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N° de stock RS:
260-8887
Référence fabricant:
FF50R12RT4HOSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

50A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

285W

Number of Transistors

2

Package Type

AG-34MM

Configuration

Dual

Mount Type

Chassis

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The infineon dual IGBT module is 34 mm 1200 V, 50 A fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled 4 diode. VCEsat with positive temperature coefficient, it is flexibility, optimal electrical performance and highest reliability.

Extended operation temperature

Low switching losses

Low VCEsat

Isolated base plate

Standard housing

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