Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis
- N° de stock RS:
- 260-8888
- Référence fabricant:
- FF50R12RT4HOSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 102,43 € |
| 5 - 9 | 98,62 € |
| 10 - 49 | 94,80 € |
| 50 + | 92,93 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 260-8888
- Référence fabricant:
- FF50R12RT4HOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 285W | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Package Type | AG-34MM | |
| Configuration | Dual | |
| Mount Type | Chassis | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.25V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 285W | ||
Number of Transistors 2 | ||
Package Type AG-34MM | ||
Configuration Dual | ||
Mount Type Chassis | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The infineon dual IGBT module is 34 mm 1200 V, 50 A fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled 4 diode. VCEsat with positive temperature coefficient, it is flexibility, optimal electrical performance and highest reliability.
Extended operation temperature
Low switching losses
Low VCEsat
Isolated base plate
Standard housing
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