Infineon FF600R12IE4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis Mount

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260-8890
Référence fabricant:
FF600R12IE4BOSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

600 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation

3.35 kW

Configuration

Dual

Package Type

AG-PRIME2

Mounting Type

Chassis Mount

The Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A half-bridge dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode, NTC and fast switching chip. High short circuit capability, self limiting short circuit current, VCEsat with positive temperature coefficient.

Extended operation temperature
High DC stability
High power density
Standardized housing

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