Références fabricant

Infineon FF600R12IE4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1.2 kV AG-PRIME2, Chassis

N° de stock RS:: 260-8889
Référence fabricant:: FF600R12IE4BOSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon FF600R12IE4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1.2 kV AG-PRIME2, Chassis

Sous-total (1 plateau de 3 unités)*

1 373,50 €

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1 661,93 €

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Unité	Prix par unité	le plateau*
3 +	457,833 €	1 373,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 260-8889
Référence fabricant:: FF600R12IE4BOSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	600A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1.2kV
	Number of Transistors	2
	Maximum Power Dissipation Pd	3.35kW
	Configuration	Dual
	Package Type	AG-PRIME2
	Mount Type	Chassis
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 600A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1.2kV
	Number of Transistors 2
	Maximum Power Dissipation Pd 3.35kW
	Configuration Dual
	Package Type AG-PRIME2
	Mount Type Chassis
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - FF600R12IE4BOSA1

The Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A half-bridge dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode, NTC and fast switching chip. High short circuit capability, self limiting short circuit current, VCEsat with positive temperature coefficient.

Extended operation temperature

High DC stability

High power density

Standardized housing

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