Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Module, 50 A 600 V TO-220

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259-1525
Référence fabricant:
IGP50N60TXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

50A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Package Type

TO-220

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.57mm

Width

10.36 mm

Length

29.95mm

Series

TRENCHSTOPTM

Standards/Approvals

JEDEC1

Automotive Standard

No

The Infineon low loss IGBT has easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vcesat. It is high ruggedness, temperature stable behaviour. It is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.

Maximum junction temperature 175°C

Short circuit withstand time 5 micro second

Low EMI

Low gate charge

Very tight parameter distribution

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