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Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

N° de stock RS:: 259-1525
Référence fabricant:: IGP50N60TXKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

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N° de stock RS:: 259-1525
Référence fabricant:: IGP50N60TXKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	90 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Number of Transistors	3
	Maximum Power Dissipation	333 W
	Package Type	PG-TO220-3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 90 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Number of Transistors 3
	Maximum Power Dissipation 333 W
	Package Type PG-TO220-3

Datasheet - IGP50N60TXKSA1

The Infineon low loss IGBT has easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vcesat. It is high ruggedness, temperature stable behaviour. It is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.

Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 5 micro second
Low EMI
Low gate charge
Very tight parameter distribution

Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

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