Infineon IGP15N60TXKSA1 Single IGBT, 26 A 600 V TO-220-3
- N° de stock RS:
- 242-0975
- Référence fabricant:
- IGP15N60TXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | 0,97 € | 485,00 € |
| 1000 + | 0,922 € | 461,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 242-0975
- Référence fabricant:
- IGP15N60TXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 26 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 130 W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Configuration | Single | |
| Package Type | TO-220-3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 26 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 130 W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Configuration Single | ||
Package Type TO-220-3 | ||
The Infineon 600 V, 15 A IGBTs transistor has maximum continous collector current is 26 A.The maximum junction temperature is 175°C. It has highest efficiency,low conduction and switching losses,comprehensive portfolio in 600 V and 1200 V for flexibility of design and high device reliability.
Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
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