Infineon IKW40N65RH5XKSA1 IGBT Module, 40 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247
- N° de stock RS:
- 249-6939
- Référence fabricant:
- IKW40N65RH5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
5,76 €
(TVA exclue)
6,97 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 1 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,76 € |
| 10 - 24 | 5,47 € |
| 25 - 49 | 5,23 € |
| 50 - 99 | 5,02 € |
| 100 + | 4,67 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 249-6939
- Référence fabricant:
- IKW40N65RH5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 40A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Height | 5.3mm | |
| Width | 16.3 mm | |
| Length | 41.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 40A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Height 5.3mm | ||
Width 16.3 mm | ||
Length 41.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon schottky barrier diode has ultra low switching losses due to the combination of TRENCHSTOPTM5 and CoolSiCTM technology. Benchmark efficiency in hard switching topologies. Plug-and-play replacement of pure silicon devices. Maximum junction temperature is 175°C.
Industrial Power Supplies
Industrial SMPS
Industrial UPS
Energy Generation
Solar String Inverter
Energy Distribution
Energy Storage
Infrastructure Charge
Charger
Liens connexes
- Infineon IKW40N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 40 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 50 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW75N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 75 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW75N65SS5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 75 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65SS5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 50 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3