Infineon IKW40N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 40 A 650 V PG-TO247-3
- N° de stock RS:
- 249-6939
- Référence fabricant:
- IKW40N65RH5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|
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| 10 - 24 | 5,53 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 249-6939
- Référence fabricant:
- IKW40N65RH5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 15V | |
| Maximum Power Dissipation | 250 W | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Configuration | Single | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 40 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 15V | ||
Maximum Power Dissipation 250 W | ||
Number of Transistors 2 | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
Configuration Single | ||
The Infineon schottky barrier diode has ultra low switching losses due to the combination of TRENCHSTOPTM5 and CoolSiCTM technology. Benchmark efficiency in hard switching topologies. Plug-and-play replacement of pure silicon devices. Maximum junction temperature is 175°C.
Industrial Power Supplies
Industrial SMPS
Industrial UPS
Energy Generation
Solar String Inverter
Energy Distribution
Energy Storage
Infrastructure Charge
Charger
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