Infineon IKW50N65SS5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 50 A 650 V PG-TO247-3
- N° de stock RS:
- 249-6943
- Référence fabricant:
- IKW50N65SS5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 5,304 € | 159,12 € |
| 60 - 60 | 5,039 € | 151,17 € |
| 90 + | 4,72 € | 141,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 249-6943
- Référence fabricant:
- IKW50N65SS5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 15V | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Maximum Power Dissipation | 274 W | |
| Configuration | Single | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 15V | ||
Number of Transistors 2 | ||
Maximum Power Dissipation 274 W | ||
Configuration Single | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
The Infineon TRENCHSTOP 5S5 IGBT co-packed with full-rated 6th generation Cool SiCTMS schottky barrier diode. Ultra-low switching losses due to the combination of TRENCHSTOPTM5 and CoolSiCTM technology. Benchmark efficiency in hard switching topologies. Plug-and-play replacement of pure silicon devices. Maximum junction temperature is 175°C
Industrial Power Supplies-Industrial SMPS
Energy Generation
Solar String Inverter
Energy Distribution -Energy Storage
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