Infineon IKW40N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 40 A 650 V PG-TO247-3

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N° de stock RS:
249-6938
Référence fabricant:
IKW40N65RH5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

15V

Maximum Power Dissipation

250 W

Number of Transistors

2

Configuration

Single

Package Type

PG-TO247-3

The Infineon schottky barrier diode has ultra low switching losses due to the combination of TRENCHSTOPTM5 and CoolSiCTM technology. Benchmark efficiency in hard switching topologies. Plug-and-play replacement of pure silicon devices. Maximum junction temperature is 175°C.

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