Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- N° de stock RS:
- 259-1534
- Référence fabricant:
- IKW50N65H5FKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,202 € | 96,06 € |
| 60 - 120 | 3,042 € | 91,26 € |
| 150 + | 2,85 € | 85,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 259-1534
- Référence fabricant:
- IKW50N65H5FKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 305 W | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 305 W | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
The Infineon high speed IGBT5 is co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT. It has Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability. 50 V increase in the bus voltage possible without compromising reliability.
650 V breakthrough voltage
Compared to best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Qg
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in VCEsat
Co-packed with Rapid Si-diode technology
Low COES/EOSS
Mild positive temperature coefficient VCEsa
Compared to best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Qg
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in VCEsat
Co-packed with Rapid Si-diode technology
Low COES/EOSS
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