Infineon AIGW40N65H5XKSA1 IGBT Single Transistor IC, 74 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 215-6609
- Référence fabricant:
- AIGW40N65H5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
10,68 €
(TVA exclue)
12,92 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 162 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,34 € | 10,68 € |
| 10 - 18 | 4,86 € | 9,72 € |
| 20 - 48 | 4,54 € | 9,08 € |
| 50 - 98 | 4,21 € | 8,42 € |
| 100 + | 3,90 € | 7,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6609
- Référence fabricant:
- AIGW40N65H5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 74A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.66V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 74A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.66V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon high speed H5 technology insulated-gate bipolar transistor offering best-in-class efficiency in hard switching and resonant topologies.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Liens connexes
- Infineon AIGW40N65H5XKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon AIKW40N65DF5XKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IKB40N65EH5ATMA1 IGBT 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IKW40N65F5FKSA1 Single IGBT 3-Pin PG-TO247
- Infineon IKW30N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW40N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW20N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW40N65WR5XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
