Infineon IGBT Single Transistor IC, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 215-6610
- Référence fabricant:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 30 unités)*
101,88 €
(TVA exclue)
123,27 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 07 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,396 € | 101,88 € |
| 60 - 120 | 3,226 € | 96,78 € |
| 150 + | 3,09 € | 92,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6610
- Référence fabricant:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 270W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.66V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 270W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.66V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon three pin high speed fast insulated-gate bipolar transistor.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Liens connexes
- Infineon AIGW50N65F5XKSA1 IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon 80 A 650 V Through Hole
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon AIKW50N65RF5XKSA1 80 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW75N65RH5XKSA1 IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon AIGW40N65H5XKSA1 IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon 74 A 650 V Surface