Références fabricant

Infineon AIGW50N65F5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

N° de stock RS:: 215-6610
Référence fabricant:: AIGW50N65F5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon AIGW50N65F5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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Unité	Prix par unité	le tube*
30 - 30	3,396 €	101,88 €
60 - 120	3,226 €	96,78 €
150 +	3,09 €	92,70 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 215-6610
Référence fabricant:: AIGW50N65F5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation	270 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation 270 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-AIGW50N65F5XKSA1

The Infineon three pin high speed fast insulated-gate bipolar transistor.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon AIGW50N65F5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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