Infineon IGBT Single Transistor IC, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

101,88 €

(TVA exclue)

123,27 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 03 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 - 303,396 €101,88 €
60 - 1203,226 €96,78 €
150 +3,09 €92,70 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
215-6610
Référence fabricant:
AIGW50N65F5XKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

270W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.66V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Series

High Speed Fifth Generation

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon three pin high speed fast insulated-gate bipolar transistor.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Liens connexes