Infineon IKA10N65ET6XKSA2, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 25 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
226-6080
Référence fabricant:
IKA10N65ET6XKSA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

25A

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

32.5W

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

TrenchStop

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IKA10N65ET6 is good thermal performance, especially at higher frequencies and increased design margin and reliability. It is very soft, fast recovery anti-parallel rapid diode.

Very low VCE(sat) 1.5V(typ.)

Maximum junction temperature 175°C

Low gate chargeQG

Pb-free lead platingRoHS compliant

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