Infineon IKA10N65ET6XKSA2 Single IGBT, 25 A 650 V, 3-Pin PG-TO220

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
226-6080
Référence fabricant:
IKA10N65ET6XKSA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

25 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

30V

Maximum Power Dissipation

32.5 W

Number of Transistors

1

Configuration

Single

Package Type

PG-TO220

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

The Infineon IKA10N65ET6 is good thermal performance, especially at higher frequencies and increased design margin and reliability. It is very soft, fast recovery anti-parallel rapid diode.

Very low VCE(sat) 1.5V(typ.)
Maximum junction temperature 175°C
Low gate chargeQG
Pb-free lead platingRoHS compliant

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