Infineon IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
242-0978
Référence fabricant:
IGP20N65H5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

42 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

125 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-220-3

Configuration

Single

The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.

Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies
Plug and play replacement of previous generation IGBTs
Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters
Mid to high range switching frequency converters

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