Infineon IGP20N65H5XKSA1 IGBT, 20 A 650 V TO-220

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N° de stock RS:
242-0978
Référence fabricant:
IGP20N65H5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

20A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Package Type

TO-220

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 ±30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

29.95mm

Width

10.36 mm

Series

High Speed Fifth Generation

Standards/Approvals

JEDEC

Height

4.57mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.

Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies

Plug and play replacement of previous generation IGBTs

Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters

Mid to high range switching frequency converters

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