Infineon IGP40N65F5XKSA1 IGBT 650 V PG-TO220-3
- N° de stock RS:
- 258-0989
- Référence fabricant:
- IGP40N65F5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,435 € | 6,87 € |
| 20 - 48 | 2,915 € | 5,83 € |
| 50 - 98 | 2,72 € | 5,44 € |
| 100 - 198 | 2,54 € | 5,08 € |
| 200 + | 2,345 € | 4,69 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-0989
- Référence fabricant:
- IGP40N65F5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Package Type | PG-TO220-3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Package Type PG-TO220-3 | ||
The Infineon hard-switching 650 V, 40 A TRENCHSTOP 5 IGBT discrete in TO-247 package for high efficiency demands. Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability.
00mV reduction in V CE(sat)
Low C OES/E OSS
Mild positive temperature coefficient V CE(sat)
Temperature stability of V f
Low C OES/E OSS
Mild positive temperature coefficient V CE(sat)
Temperature stability of V f
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