Infineon FP75R12N2T7B11BPSA1, Type N-Channel IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin Module, Chassis

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232-6717
Référence fabricant:
FP75R12N2T7B11BPSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

75A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Number of Transistors

7

Package Type

Module

Mount Type

Chassis

Channel Type

Type N

Pin Count

31

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.55V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

FP75R12N2T7_B11

Height

21.3mm

Width

45 mm

Length

107.5mm

Automotive Standard

No

The Infineon's EconoPIM 2, 75 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.

RoHS-compliant modules

Copper base plate for optimized heat spread

High power density

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