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Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

N° de stock RS:: 244-5835
Référence fabricant:: FP50R12KE3BOSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

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N° de stock RS:: 244-5835
Référence fabricant:: FP50R12KE3BOSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	75 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	280 W
	Number of Transistors	7

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	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 75 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 280 W
	Number of Transistors 7

Datasheet - FP50R12KE3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.30 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

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