Références fabricant

Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin Module, Chassis

N° de stock RS:: 232-6716
Référence fabricant:: FP75R12N2T7B11BPSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin Module, Chassis

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

1 159,74 €

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10 +	115,974 €	1 159,74 €

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N° de stock RS:: 232-6716
Référence fabricant:: FP75R12N2T7B11BPSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	75A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Package Type	Module
	Mount Type	Chassis
	Channel Type	Type N
	Pin Count	31
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.55V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	21.3mm
	Series	FP75R12N2T7_B11
	Standards/Approvals	No
	Length	107.5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 75A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Package Type Module
	Mount Type Chassis
	Channel Type Type N
	Pin Count 31
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 21.3mm
	Series FP75R12N2T7_B11
	Standards/Approvals No
	Length 107.5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FP75R12N2T7B11BPSA1

The Infineon's EconoPIM 2, 75 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.

RoHS-compliant modules

Copper base plate for optimized heat spread

High power density

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